0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Broadened graded asymmetric waveguide structure for low divergence 915nm diode laser
نویسندگان :
Seyed Peyman Abbasi
1
Arash Hodaei
2
1- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
2- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
کلمات کلیدی :
Graded refractive index،Asymmetric structure،Beam divergence،Laser diode
چکیده :
Multi-chip beam combining is used for high-power laser diodes. In this method, fast collimation of the laser diode is an important process. Laser diode beam divergence is the main parameter for beam shaping and fiber optic coupling. Increasing the waveguide layer thickness in epitaxial design is the conventional method to decrease beam divergence. In this paper, the 915nm broadened graded asymmetric structure is introduced to decrease the divergence without increasing the optical power. The asymmetric waveguide shifted the vertical optical field to the n-section, which has lower free carrier loss than the p-section. Furthermore, the linearly graded refractive index was used to control the modes. The main target of this research is to decrease the divergence. In the proposed structure, fast divergence (FWHM) of 24 degrees and threshold current density of less than 650A/cm2 was achieved.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
طراحی و شبیهسازی یک فیلتر میان گذر باریک باند قابل تنظیم با استفاده از سلف فعال برای کاربرد در شبکههای بیسیم
محمد امین ملاکی - مهناز افضلی - ابوالفضل بیجاری
ZnO-Based Surface Acoustic Wave Droplet Sensor
Farzaneh Soleimanpour - Behdad Barahimi - Sara Darbari - Mohammad kazem Moravvej farshi
حسگر فشار پیزومقاومتی مبتنی بر صفحه رزین حساس به نور
Ferdos Akrami
Study of Nanoscale Material NEMS Resonant Pressure Sensors: Simulation and Comparison
Amir Noroolahi - Abolfazl Hosseini
An Ultra-Low-Voltage, High-Voltage Gain, Bulk-Driven CMOS Operational Amplifier
Ali Nejati - Mohammad Hossein Maghami
Evaluation of Run-Time Energy Efficiency using Controlled Approximation in a RISC-V Core
Arvin Delavari - Faraz Ghoreishy - Hadi Shahriar Shahhoseini - Sattar Mirzakuchaki
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
A Low-Noise Amplifier with Bandwidth Extension and Noise Cancellation for 5G Receivers
Pardis Javanbakht - Mortaza Mojarad
طراحی و تحلیل یک انتگرالگیر زمانی مرتبه کسری در فناوری هایبرید پلاسمونی گرافنی
افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو
Design and Numerical Assessment of a Novel Dielectrophoretic Microfluidic Chip to Separate CTCs
Fatemeh Ghaffari - Hadi Veladi
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5