کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

Broadened graded asymmetric waveguide structure for low divergence 915nm diode laser

نویسندگان :

Seyed Peyman Abbasi¹ Arash Hodaei²

1- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران 2- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران

کلمات کلیدی :

Graded refractive index،Asymmetric structure،Beam divergence،Laser diode

چکیده :

Multi-chip beam combining is used for high-power laser diodes. In this method, fast collimation of the laser diode is an important process. Laser diode beam divergence is the main parameter for beam shaping and fiber optic coupling. Increasing the waveguide layer thickness in epitaxial design is the conventional method to decrease beam divergence. In this paper, the 915nm broadened graded asymmetric structure is introduced to decrease the divergence without increasing the optical power. The asymmetric waveguide shifted the vertical optical field to the n-section, which has lower free carrier loss than the p-section. Furthermore, the linearly graded refractive index was used to control the modes. The main target of this research is to decrease the divergence. In the proposed structure, fast divergence (FWHM) of 24 degrees and threshold current density of less than 650A/cm2 was achieved.

لیست مقالات

لیست مقالات بایگانی شده

A Low-Power Inductor-Less Linear Wideband CMOS Balun-LNA Using Current Reuse And Linearity Techniques

Soroush Hashemi Bani - Mohammad Yavari

Third Harmonic Generation Improvement with BIC based Perovskite Metasurface

Fateme Momeni - Vahid Ahmadi

A 7.5 GHz, 60 dB Regulated Cascode Transimpedance Amplifier in 180-nm CMOS Technology for Optoelectronic Applications

Sara Ghorbani - Saeed Olyaee - Mohammad Hossein Maghami

Design of a Compact Approximate Multiplier in QCA Technology Using a Three-Layer Architecture

Saeid Seyedi - Hatam Abdoli

A 0.9-8 GHz Highly Linear SAW-Less Direct-Conversion Receiver Front-End for 5G Communication Standard

Erfan Salighe - Mortaza Mojarad

یک موتور محاسباتی آنالوگ برای شبکه‌های عصبی کانولوشنال با بهره‌گیری از تکنیک Gm-Scaling

عرفان بستانچی - مرتضی موسی زاده

یک مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر مدولاتور سیگما دلتا برای کاربردهای مهندسی - پزشکی با ENOB = 13. 2 bits ، پهنای باند 10 kHz و توان مصرفی 16.9 µ W

علی صداقت - حسین پاک نیت - نوید یثربی

مدل‌سازی و ارزیابی ساختار DMG-FinFET با گیت دوگانه و هندسه نانومقیاس

بهاره میرزاپور شیراینی - محسن داوودی

A 10-bit, 110-MS/s Synchronous SAR ADC Using a Split‑DAC Architecture with the new comparator

Sajjad Ali Abbasi Yaghmourali - Morteza Mousazadeh

Optimization and Characterization of CrossTalk in CMOS image sensors

Asma Mojarrad Alman abad - Hamzeh Alaibakhsh

بیشتر

ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 42.6.0