0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
A MEMS Resonant Pressure Sensore Based on 2D Graphene Material
نویسندگان :
Amir Noroolahi
1
Farshad Babazadeh
2
1- دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری
2- دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری
کلمات کلیدی :
2D material،Resonant Frequency،Pressure Sensor،Nanoelectromechanical systems(NEMS)،MEMS
چکیده :
In this manuscript, we offer a comprehensive investigation of the operational principle, performance assessment, and prospects of resonant pressure sensors that rely on 2D material membrane. Specifically, the membrane in question is a Graphene-based one, possessing a radius of 2500 nm and a thickness of 25 nm. Our simulation setup consists of a multi-layer Graphene membrane that suspended on a Si substrate and stimulated by an electrostatic excitation. When acting as a resonator, the membrane displays a frequency shift of roughly 57 MHz in response to pressures ranging from zero to 1 bar applied pressure. Our sensor exhibits a sensitivity of 56 kHz/mbar, which is 200 times higher than that of pressure sensors based on Silicon, despite employing a membrane area that is 1200 times smaller. Our proposed pressure sensor exploits the mechanical and electrical properties of Graphene to enable exceptionally accurate pressure measurements.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
مراحل طراحی سیستماتیک یک Continuous Time Pipelined ADC
هادی نبی زاده - مرتضی موسی زاده
An Accurate 10-bit 1 kS/s Charge-Redistribution SAR ADC for Sensor Readout Applications
Farshad Gozalpour - Sepehr Zare Teimoori - Kamyab Karimi Sarableh - Rasoul Fathipour - Mohsen Tamaddon
Design of a High Voltage Common Mode Resilient FlexRay Receiver in 180nm/5V CMOS Process
Hamid Sadat Mansoury - Saeed Saeedi - Mojtaba Atarodi
High-Speed AQAR Circuit Using Schmitt Trigger in 65nm CMOS for High Photon Rate Detection
Kiana Pasha - Sayed Masoud Sayedi
طراحی شمارنده بالا پایین شمار سنکرون 8 بیتی بسیار سریع مبتنی بر شمارش در دولبه پالس ساعت با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی32 نانومتر
جواد جاویدان
Clusters of Cubic Plasmonic Nanoparticles for Improved Efficiency in Bifacial Perovskite Solar Cells
Amir Hossein Mohammadian Fard - ُSamiye Matloub
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
طراحی و شبیه سازی سوییچ و مدولاتور الکترواپتیک مبتنی بر گرافن در طیف مادون قرمز میا نی با بهره گیری از ساختار JFET
توفیق نورمحمدی
A 7.5 GHz, 60 dB Regulated Cascode Transimpedance Amplifier in 180-nm CMOS Technology for Optoelectronic Applications
Sara Ghorbani - Saeed Olyaee - Mohammad Hossein Maghami
A Common-mode Insensitive Regenerative Comparator with New Dynamic-Bias Technique for Low Supply Voltage Applications
Saba Iesakhani - Hadi Pahlevanzadeh
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 43.9.1