کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

Base Transit Time Investigation of InP/InGaAs HBT Optoelectronic Mixer Using Different Base Doping Profiles

نویسندگان :

Hassan Kaatuzian¹ Mehrdad Ghasemi² Mahdi NoroozOliaei³

1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر 2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر 3- دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی

کلمات کلیدی :

Base Doping Gaussian Profile،Base Width،Current Gain،Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs)،Transit time

چکیده :

Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are a type of bipolar transistors that have fabulous advantages for employing them in electronic circuits such as their fast speed. A key parameter of HBTs is transit time which determines the capabilities of these devices. Employing of lower transit time (better frequency response) is feasible by considering the base doping different profiles. In this paper, the behavior of the transit time parameter has been investigated for the mentioned near Gaussian and continuously decreasing doping profiles. It can be used to obtain even higher frequency responses in single or cascade configurations for 1.55-micron wavelength optoelectronic mixers. The idea in this study will be applied to HBTs in modulating the frequency range between gigahertz to terahertz.

لیست مقالات

لیست مقالات بایگانی شده

هوشمندسازی خودرو با استفاده از بینایی ماشین و رایانش لبه‌: پیاده‌سازی سیستم تشخیص چراغ‌های راهنمایی و مسیر حرکت در سامانه های نهفته

بلال سپاهی - وحید جمشیدی

Surface Plasmon Resonance-Based Biosensing for Vibrio Cholerae Detection: A Comprehensive Review

Zahra Davarjou - Mohammad Hadi Shahrokh Abadi

Quantum Machine Learning Acceleration with Quantum Control Techniques

Sara Mahmoudi Rashid

مدل‌سازی و ارزیابی ساختار DMG-FinFET با گیت دوگانه و هندسه نانومقیاس

بهاره میرزاپور شیراینی - محسن داوودی

مراحل طراحی سیستماتیک یک Continuous Time Pipelined ADC

هادی نبی زاده - مرتضی موسی زاده

A Linear Transconductor for Gm-C Filter Applied in a Switch-Mode Power Supply for IoT Applications

Sanaz Gerami - Abolfazl Rajaiyan - Yas Hosseini Tehrani - Seyed Mojtaba Atarodi

Three-Phase Bidirectional Integrated Meter Using Hall Effect Sensor in 0.5um CMOS Process

Shayan Anzali - Morteza Mousazadeh - Khayrollah Hadidi

A Low-Power Differential Ring VCO Using An Active Inductor For Wireless Applications

Mahdi Alijani - Mohammadmahdi Javanmardi - Adib Abrishamifar

Optimization and Characterization of CrossTalk in CMOS image sensors

Asma Mojarrad Alman abad - Hamzeh Alaibakhsh

A Review for Graphene, Graphene-based Materials, and Their Applications in Photonics and Optoelectronic Devices

Seyedeh Nastaran Talebzadeh - Saeed Golmohammadi - Seyyedeh Ladan Talebzadeh

بیشتر

ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 42.6.0