0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Base Transit Time Investigation of InP/InGaAs HBT Optoelectronic Mixer Using Different Base Doping Profiles
نویسندگان :
Hassan Kaatuzian
1
Mehrdad Ghasemi
2
Mahdi NoroozOliaei
3
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
3- دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی
کلمات کلیدی :
Base Doping Gaussian Profile،Base Width،Current Gain،Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs)،Transit time
چکیده :
Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are a type of bipolar transistors that have fabulous advantages for employing them in electronic circuits such as their fast speed. A key parameter of HBTs is transit time which determines the capabilities of these devices. Employing of lower transit time (better frequency response) is feasible by considering the base doping different profiles. In this paper, the behavior of the transit time parameter has been investigated for the mentioned near Gaussian and continuously decreasing doping profiles. It can be used to obtain even higher frequency responses in single or cascade configurations for 1.55-micron wavelength optoelectronic mixers. The idea in this study will be applied to HBTs in modulating the frequency range between gigahertz to terahertz.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی
افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو
Electrically-Driven Tunable Acoustic Fields for Acoustofluidic Particle Manipulation
Elahe Hosseini - Behdad Barahimi - Sara Darbari - Iman Halvaei - Mohammad Kazem Moravvej-Farshi
طراحی آنتن پچ تراهرتز قابل تنظیم با استفاده از سوییچهای گرافنی برای کاربردهای گسترده فرکانسی
امیر امینی - موسی عبداله وند یاجلو - مهدی نوشیار
Design of Silicon Nitride Slot Waveguide for Methane Gas Sensing in the Mid-infrared Region
Maryam Mirzalou - Faezeh Bahrami-Chenaghlou - Afshin Ahamdpour - AmirMasoud Taheri
Numerical Modeling and Simulation of High Sensitivity Photonic Crystal Fiber Optical Sensors
Ali Asghar Molavi Choobini - Farkhonde Zamaninejad - Sara Sadat Ghaffari-Oskooei
جاذب کامل مبتنی بر گرافن با حساسیت بالا برای کاربردهای تشخیص سرطان
علیرضا پیله رودی - جواد جاویدان - حمید حیدرزاده
Impact of Geometrical and Process Design Parameters on the Performance of Schottky Barrier Reconfigurable Field Effect Transistor
Hamid Reza Heydari - Zahra Ahangari - Hamed Nematian - Kian Ebrahim Kafoori
مراحل طراحی سیستماتیک یک Continuous Time Pipelined ADC
هادی نبی زاده - مرتضی موسی زاده
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
A 20-watt High Efficiency Power Amplifier with More Than Two-Octave Bandwith and ±1 dB Gain Flatness
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 43.4.0
