0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Base Transit Time Investigation of InP/InGaAs HBT Optoelectronic Mixer Using Different Base Doping Profiles
نویسندگان :
Hassan Kaatuzian
1
Mehrdad Ghasemi
2
Mahdi NoroozOliaei
3
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
3- دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی
کلمات کلیدی :
Base Doping Gaussian Profile،Base Width،Current Gain،Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs)،Transit time
چکیده :
Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are a type of bipolar transistors that have fabulous advantages for employing them in electronic circuits such as their fast speed. A key parameter of HBTs is transit time which determines the capabilities of these devices. Employing of lower transit time (better frequency response) is feasible by considering the base doping different profiles. In this paper, the behavior of the transit time parameter has been investigated for the mentioned near Gaussian and continuously decreasing doping profiles. It can be used to obtain even higher frequency responses in single or cascade configurations for 1.55-micron wavelength optoelectronic mixers. The idea in this study will be applied to HBTs in modulating the frequency range between gigahertz to terahertz.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
طراحی و تحلیل تضعیفکننده متغیر و مدولاتور قابل تنظیم پلاسمونی
رضا رحیم پور - امیر حبیب زاده شریف
Enhanced sensitivity of ISFET pH-sensor utilizing reduced Graphene Oxide
Hossein Rezaei Estakhroyeh - Mahdiyeh Mehran - Esmat Rashedi
طراحی آنتن تشدیدکننده دی الکتریک با استفاده از فرامواد برای سنجش و تشخیص مایعات
مریم بازگیر - اکرم شیخی
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
یک مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر مدولاتور سیگما دلتا برای کاربردهای مهندسی - پزشکی با ENOB = 13. 2 bits ، پهنای باند 10 kHz و توان مصرفی 16.9 µ W
علی صداقت - حسین پاک نیت - نوید یثربی
A 2x1 Bit Multiplier Based on Vibrating Microelectromechanical Resonators
ALI DELVAR - Farshad Babazadeh
Design and Fabrication of Carbon Nanoparticles-Based Sensor by Arc Discharge Method
Golsa Taghizadeh Afshari - Mohammad Taghi Ahmadi - Amir Fathi
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
Third Harmonic Generation Improvement with BIC based Perovskite Metasurface
Fateme Momeni - Vahid Ahmadi
A Nanowatt Low Voltage Subthreshold CMOS Voltage Reference Based On 2-T
Nima Dehghan - Mohammad Yavari
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5