0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Base Transit Time Investigation of InP/InGaAs HBT Optoelectronic Mixer Using Different Base Doping Profiles
نویسندگان :
Hassan Kaatuzian
1
Mehrdad Ghasemi
2
Mahdi NoroozOliaei
3
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
3- دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی
کلمات کلیدی :
Base Doping Gaussian Profile،Base Width،Current Gain،Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs)،Transit time
چکیده :
Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are a type of bipolar transistors that have fabulous advantages for employing them in electronic circuits such as their fast speed. A key parameter of HBTs is transit time which determines the capabilities of these devices. Employing of lower transit time (better frequency response) is feasible by considering the base doping different profiles. In this paper, the behavior of the transit time parameter has been investigated for the mentioned near Gaussian and continuously decreasing doping profiles. It can be used to obtain even higher frequency responses in single or cascade configurations for 1.55-micron wavelength optoelectronic mixers. The idea in this study will be applied to HBTs in modulating the frequency range between gigahertz to terahertz.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
ساختار گرافنی جاذب کامل چند باندی تراهرتزی با قابلیت تنطیم فرکانس و مستقل از قطبش
یوسف رفیق ایرانی - جواد جاویدان - حمید حیدرزاده
Design and Optimization of a 1‑GHz Folded-Cascode OTA Using the gm/ID Technique With Layout Considerations
Sina Kazemi - Mehdi Ehsanian
A Linear Transconductor for Gm-C Filter Applied in a Switch-Mode Power Supply for IoT Applications
Sanaz Gerami - Abolfazl Rajaiyan - Yas Hosseini Tehrani - Seyed Mojtaba Atarodi
Analysis of electrostatic interaction between a charge trap and a quantum dot based single electron transistor
Fatemeh Hamedvasighi - Majid Shalchian
طراحی نانو لیزرکریستال فوتونی نقاط کوانتومی با محیط بهره هیبریدی مبنی بر گالیم آرسنیک با افزایش پمپاژ نوری
انیس امیدنیایی - علی فرمانی
Design of a time difference amplifier using phase-locked loop circuit blocks
Sina Bakhshi - Mehdi Ehsanian
A 1.8 V to 3.3 V High-Efficiency Integrated Boost Converter for Low-Power Portable Applications
Shayan Anzali - SIROUS Toofan - Jafar Sobhi - Ziaaddin Daie Kouzehkanani
Analytical Formulation of Lock Range and Jitter Transfer in Injection-Locked Relaxation Oscillators
Armin Eslami - Reza Navid
A Review for Graphene, Graphene-based Materials, and Their Applications in Photonics and Optoelectronic Devices
Seyedeh Nastaran Talebzadeh - Saeed Golmohammadi - Seyyedeh Ladan Talebzadeh
طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی
افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.5.0
