0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی و شبیهسازی یک فیلتر میان گذر باریک باند قابل تنظیم با استفاده از سلف فعال برای کاربرد در شبکههای بیسیم
نویسندگان :
محمد امین ملاکی
1
مهناز افضلی
2
ابوالفضل بیجاری
3
1- دانشگاه بیرجند
2- دانشگاه بیرجند
3- دانشگاه بیرجند
کلمات کلیدی :
باند باریک،تقویت کننده کم نویز (LNA)،سلف فعال،فیلتر میانگذر،قابل تنظیم
چکیده :
امروزه از فیلترهای باند باریک در گیرندهها و فرستنده های بیسیم بهطور گسترده استفاده میشود. برخلاف سلف مارپیچ، سلفهای فعال، میتوانند مقدار اندوکتانس مناسب، ضریب کیفیت بالا، سطح تراشهی کوچکتر و توانایی تنظیم گستردهتری را در مدارات RF فراهم کنند. سلفهای قابل تنظیم CMOS در فیلترهای میانگذر باریک توسط تقویتکنندههای کم نویز پیاده سازی میشوند. در این مقاله، طراحی یک فیلتر میانگذر باریک باند قابل تنظیم با استفاده از سلف فعال در نرم افزار کیدنس شبیهسازی شده است . نتایج پست لیوت مدار پيشنهاد شده با بهره dB 78/14 در فرکانسGHz 4/2، تلفات بازگشتی ورودی کمتر از dB 19- و تلفات بازگشتی خروجی کمتر از dB12- میباشد. همچنین نویز این تقویت کننده کمتر از dB 4/6 و مصرف توان mW 8/9 میباشد.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Two-wavelength Quantum Dot Mid-Infrared Photodetectors Using Solution Process Method
Hannaneh Dortaj - Samiye Matloub
Using GDI Structure in Hardware Implementation of Convolution Operation in Deep Neural Networks
Maedeh Kadkhodaie - Sayed Masoud Sayedi
طراحی و شبیهسازی جمع کننده 64 بیتی سریع با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی (CNTFET)
علیرضا جعفری تازه کند - جواد جاویدان
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
A Low-Noise Amplifier with Bandwidth Extension and Noise Cancellation for 5G Receivers
Pardis Javanbakht - Mortaza Mojarad
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
Role of Doping Concentration of n- and p-Strip Regions on Optoelectronical Characterization in IBC-SHJ Solar Cell
Pegah Paknazar - Maryam Shakiba
Study of Nanoscale Material NEMS Resonant Pressure Sensors: Simulation and Comparison
Amir Noroolahi - Abolfazl Hosseini
A 0.9-8 GHz Highly Linear SAW-Less Direct-Conversion Receiver Front-End for 5G Communication Standard
Erfan Salighe - Mortaza Mojarad
A Low-Power Inductor-Less Linear Wideband CMOS Balun-LNA Using Current Reuse And Linearity Techniques
Soroush Hashemi Bani - Mohammad Yavari
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5