0% Complete
صفحه اصلی
/
ششمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی و شبیهسازی شمارنده بالا و پایین شمار چهارسطحی با استفاده از تکنولوژی 32nm-CNTFET
نویسندگان :
جواد جاویدان
1
1- دانشگاه محقق اردبیلی
کلمات کلیدی :
شمارنده چهار سطحی،شمارنده بالا و پایین شمار،سنکرون،آسنکرون،فرمانده-فرمانبر
چکیده :
– در این مقاله یک شمارنده بالا و پایین شمار چهار سطحی پیشنهاد و با استفاده از تکنولوژی 32nm-CNTFET طراحی و شبیهسازی شده است. هسته اصلی شمارنده از گیتهای فلیپفلاپ نوع D تشکیل شده است. بسته به ساختار شمارنده، فلیپفلاپ نوع D حساس به لبه بالا و پایین بایستی طراحی شود. برای این هدف ساختار فلیپفلاپ از نوع فرمانده-فرمانبر پیشنهاد شده است و برای پیادهسازی هر بخش فرمانده و فرمانبر، بلوکهای یک واحد افزاینده و کاهنده چهار سطحی پیشنهاد شده است. در طراحی بلوکها حداکثر تلاش برای رسیدن به سرعت بالا و توان مصرفی پایین صورت گرفته است. ساختار نهایی برای یک شمارنده 3 خروجی چهار سطحی شبیه سازی شده که با تکرار بلوکها امکان تحقق شمارنده با تعداد بیت بیشتر به راحتی قابل حصول است. شکلها برای شمارنده بالا و پایین شمار آسنکرون چهار سطحی ارائه شده است که با اندکی تغییر میتواند به شمارنده سنکرون چهار سطحی تبدیل شود. شبیهسازیها با تکنولوژی 32nm-CNTFET و با استفاده از نرم افزار HSPICE2019 انجام شده است.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Design and Simulation of a 2.4 GHz Class E Power Amplifier With High PAE and Linearity Improvement in 0.13μm CMOS Technology
Hamidreza Taghavi gharaghaji - Morteza Mojarad
طراحی و تحلیل یک انتگرالگیر زمانی مرتبه کسری در فناوری هایبرید پلاسمونی گرافنی
افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
Double-OTA External Capless Low-power LDO Regulator with Enhanced PSR and Transient Response
Mohammad Ahmadi - Emad Ebrahimi
Optimization of 6.5 GHz CMOS Low Noise Amplifier Applying Multi-objective Firefly Algorithm
Maryam Babasafari - Mostafa Yargholi - Mohammad Mostafavi
A MEMS Resonant Pressure Sensore Based on 2D Graphene Material
Amir Noroolahi - Farshad Babazadeh
طراحی نوسانگر ولتاژ پایین با کمترین نویزفاز گزارش شده در ناحیه 1/f^3 در فرکانس 3.6 گیگاهرتز
ریحانه عسکرزاده طرقبه - فاطمه اکبر - علی فتوت احمدی
Thorough Analysis of mm-Wave Broadband Planar and Vertical Transitions for Loss Reduction of Interconnects in Multilayer PCBs
Pouay Namaki - Nasser Masoumi - Mohammad-Reza Nezhad-Ahmadi
Influence of piezoelectric actuator on the stability of micromechanical device via Casimir force
Fatemeh Mahdi Maleki - Fatemeh Tajik
A 0.9-8 GHz Highly Linear SAW-Less Direct-Conversion Receiver Front-End for 5G Communication Standard
Erfan Salighe - Mortaza Mojarad
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5