0% Complete
صفحه اصلی
/
هفتمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی یک فلیپ فلاپ کم مصرف، پرسرعت و مقاوم در برابر خطاهای نرم برای فناوریهای نانومتری
نویسندگان :
سیده عارفه رضوی
1
وحید جمشیدی
2
1- دانشگاه شهید باهنر کرمان
2- دانشگاه شهید باهنر کرمان
کلمات کلیدی :
فلیپ فلاپ،تک رخداد واژگونی (SEU)،خطای نرم
چکیده :
با کاهش ابعاد ترانزیستورها، آسیب پذیری مدارهای منطقی دیجیتال در مقابل با خطاهای نرم ناشی از برخورد ذرات پرانرژی در حال افزایش است. فلیپ فلاپ ها یکی از عناصر مهم مدارهای منطقی بوده که در مقابل تک رخداد واژگونی (SEU) و تک رخداد چندگره واژگونی (SEMU) بسیار آسیب پذیر هستند. فلیپ فلاپ هایی که تا کنون معرفی شده اند، با چالشهایی مانند مساحت زیاد و مصرف توان بالا روبهرو هستند. در این مقاله، یک مدار فلیپ فلاپ جدید مصون در برابر SEU و همچنین مقاوم در برابر SEMU، طراحی و ارزیابی شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که در مقایسه با کارهای پیشین، فلیپ فلاپ پیشنهادی به ترتیب 53.09٪، 36.54٪، 40.83٪، 42.25٪ و 81.40٪ کاهش در مصرف توان، تأخیر D-Q، تأخیر CLK-to-Q، مساحت، و حاصلضرب توان–تأخیر را فراهم می کند.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
A High-Precision Low-Dropout Regulator With High Current Efficiency and Slew-Rate Enhancement
Yeganeh Moradzadeh Rezaei - Mortaza Mojarad
A Bootstrapped Switch Based Efficient CMOS Full-Wave Active Rectifier for Biomedical Implants
Mahmood Alibakhshi - Farshad Gozalpour - Yarallah Koolivand
A High-Speed, Tunable Dead-Zone Phase-Frequency Detector
Zaher Kakehbra - Khayrollah Hadidi
Design of a Compact Approximate Multiplier in QCA Technology Using a Three-Layer Architecture
Saeid Seyedi - Hatam Abdoli
An Accurate 10-bit 1 kS/s Charge-Redistribution SAR ADC for Sensor Readout Applications
Farshad Gozalpour - Sepehr Zare Teimoori - Kamyab Karimi Sarableh - Rasoul Fathipour - Mohsen Tamaddon
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
اکبر شعبانی - حسین کرمی طاهری
A New Design for 1.75 to 2.55 GHz GaN Power Amplifier with More Than 40 dBm Output Power and 12 dB Maximum Gain
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei - HojjatAllah Nemati
Optimization and Characterization of CrossTalk in CMOS image sensors
Asma Mojarrad Alman abad - Hamzeh Alaibakhsh
Broadened graded asymmetric waveguide structure for low divergence 915nm diode laser
Seyed Peyman Abbasi - Arash Hodaei
A 0.9-8 GHz Highly Linear SAW-Less Direct-Conversion Receiver Front-End for 5G Communication Standard
Erfan Salighe - Mortaza Mojarad
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.5.0