لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی
نویسندگان :
افشین احمدپور
1
امیر حبیب زاده شریف
2
فائزه بهرامی چناقلو
3
1- دانشگاه صنعتی سهند
2- دانشگاه صنعتی سهند
3- دانشگاه صنعتی سهند
کلمات کلیدی :
تحلیل مود نوری،سیلیکون نیترید،موجبر فوتونی،نور مرئی
چکیده :
در این مقاله، طراحی سیستماتیک و تحلیل تمام موج یک موجبر فوتونی سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی ارائه شده است. معیارهای در نظر گرفته شده در طراحی موجبر شامل تک مود بودن، حبس شدگی مناسب مود نوری، مساحت مودی مناسب و ابعاد فیزیکی کوچک هستند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که مساحت مودی مؤثر برای مودهای هدایتی TE1 و TM1 به ترتیب برابر با 0.218 و 0.204 میکرومتر مربع بوده و شدت نور از حبس شدگی بالایی در ناحیه هسته برخوردار است. همچنین، این موجبر از سطح مقطع عرضی کوچک (400 × 350 نانومترمربع) برخوردار بوده که می تواند برای کاربردهای انتشار نور و انتقال داده در مقیاس تراشه مورد استفاده قرار گیرد.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
A 12-bit, 100-MS/s Two-Channel Time-Interleaved SAR ADC with a Novel Offset Error Cancellation Method
Seyed Kian Mousavikia - Majid Vatan Parast Aghdami - Morteza Mousazadeh - Khayrollah Hadidi
Numerical Assessment of Serpentine Microchip Capillary Electrophoresis Channels Over Straight Channels
Ehsan Nikkhah - Hadi Veladi - Abolghasem Jouyban
Design an active inductor independent of process, voltage and temperature
Fatemeh Miri - Mehdi Ehsanian
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
Tunable High-Q N-Path Filters; Review and Redesign
Ahmad Najjari - SIROUS TOOFAN - Ziaddin Daie Kuzekanani - Jafar Sobhi
A Linear Transconductor for Gm-C Filter Applied in a Switch-Mode Power Supply for IoT Applications
Sanaz Gerami - Abolfazl Rajaiyan - Yas Hosseini Tehrani - Seyed Mojtaba Atarodi
Reconfigurable 2.4GHz Low-Noise Amplifier with Switchable Gain States for Multi-Standard Wireless Receivers
Sajad Bazleh - Seyed Kian Mousavikia - Sedighe Babaei Sedaghat - Amir Fathi
A New Design for 1.75 to 2.55 GHz GaN Power Amplifier with More Than 40 dBm Output Power and 12 dB Maximum Gain
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei - HojjatAllah Nemati
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
اکبر شعبانی - حسین کرمی طاهری
A Common-mode Insensitive Regenerative Comparator with New Dynamic-Bias Technique for Low Supply Voltage Applications
Saba Iesakhani - Hadi Pahlevanzadeh
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0