کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی ‏بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی

نویسندگان :

افشین احمدپور¹ امیر حبیب زاده شریف² فائزه بهرامی چناقلو³

1- دانشگاه صنعتی سهند 2- دانشگاه صنعتی سهند 3- دانشگاه صنعتی سهند

کلمات کلیدی :

تحلیل مود نوری،سیلیکون نیترید،موجبر فوتونی،نور مرئی

چکیده :

در این مقاله، طراحی سیستماتیک و تحلیل تمام‌ موج یک موجبر فوتونی سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی ارائه شده است. معیارهای در نظر گرفته شده در طراحی موجبر شامل تک‌ مود بودن، حبس‌ شدگی مناسب مود نوری، مساحت مودی مناسب و ابعاد فیزیکی کوچک هستند. نتایج بدست آمده نشان می ‏دهند که مساحت مودی مؤثر برای مودهای هدایتی TE1 و TM1 به ترتیب برابر با 0.218 و 0.204 میکرومتر مربع بوده و شدت نور از حبس ‎شدگی بالایی در ناحیه هسته برخوردار است. همچنین، این موجبر از سطح مقطع عرضی کوچک (400 × 350 نانومترمربع) برخوردار بوده که می ‏تواند برای کاربردهای انتشار نور و انتقال داده در مقیاس تراشه مورد استفاده قرار گیرد.