لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
ارائه یک منطق سه سطحی ترکیبی CMOS-FINFET برای مدارهای محاسباتی کم مصرف
محبوبه طالبی - وحید جمشیدی
A MEMS Resonant Pressure Sensore Based on 2D Graphene Material
Amir Noroolahi - Farshad Babazadeh
Design and Performance Analysis of a Diplexer for Simultaneous GSM and Bluetooth Communication
Hamid Rahimpour - Sajjad Mohammadian - Reza Nemati
حسگر فشار پیزومقاومتی مبتنی بر صفحه رزین حساس به نور
Ferdos Akrami
Design and Fabrication of Carbon Nanoparticles-Based Sensor by Arc Discharge Method
Golsa Taghizadeh Afshari - Mohammad Taghi Ahmadi - Amir Fathi
طراحی آنتن تشدیدکننده دی الکتریک با استفاده از فرامواد برای سنجش و تشخیص مایعات
مریم بازگیر - اکرم شیخی
Optimization and Characterization of CrossTalk in CMOS image sensors
Asma Mojarrad Alman abad - Hamzeh Alaibakhsh
Optimization of 6.5 GHz CMOS Low Noise Amplifier Applying Multi-objective Firefly Algorithm
Maryam Babasafari - Mostafa Yargholi - Mohammad Mostafavi
A 20-watt High Efficiency Power Amplifier with More Than Two-Octave Bandwith and ±1 dB Gain Flatness
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0
