0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Investigation of Surface Plasmon Resonance and Light Scattering by Gold Nanoparticles in Air and Dielectric Environments
Habib Khoshsima - Reza Morsali
A High-Speed, Tunable Dead-Zone Phase-Frequency Detector
Zaher Kakehbra - Khayrollah Hadidi
طراحی ضرب کننده تقریبی کم مصرف و سریع برای کاربردهای پردازش تصویر
شیوا محمدعلیپوری - وحید جمشیدی
Control and Automation of fluid at Microscale for Bio-Analysis applications
Reza Hadjiaghaie vafaie - Tayebeh Azadmousavi - Hojjat Emami
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
اکبر شعبانی - حسین کرمی طاهری
Synthesis of TiNb2O7 by mechanical alloying and subsequent heat treatment as an anode material for Li-ion batteries
Shiva Rashidi Kia - Mehdi Khodae
سنجش ویروس کووید-19 با استفاده از یک حسگر زیستی نوری ضریب شکست چند وجهی پلاسمونیک بسیار حساس مبتنی بر تشدیدگرهای حلقهای شکافته
علی خدائی - حمید حیدرزاده - محمدعلی شکرزاده مقتدر
تشخیص خرابی یاتاقان موتور خودرو با استفاده از حسگرهای میکروالکترونیکی و سیگنالپردازی شتابسنجی
امین آقائی بدلبو - ارمین نصرالله زاده - امیرحسین محمودی
A MEMS Resonant Pressure Sensore Based on 2D Graphene Material
Amir Noroolahi - Farshad Babazadeh
A runtime reconfigurable exact-approximate full-adder design
Keihan Naseri - Hadi Jahanirad
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 43.9.1
