0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
سنجش ویروس کووید-19 با استفاده از یک حسگر زیستی نوری ضریب شکست چند وجهی پلاسمونیک بسیار حساس مبتنی بر تشدیدگرهای حلقهای شکافته
علی خدائی - حمید حیدرزاده - محمدعلی شکرزاده مقتدر
Dynamic Power Control in a Hardware Neural Network with Error-Configurable MAC Units
Maedeh Ghaderi - Arvin Delavari - Faraz Ghoreishy - Sattar Mirzakuchaki
A Review for Graphene, Graphene-based Materials, and Their Applications in Photonics and Optoelectronic Devices
Seyedeh Nastaran Talebzadeh - Saeed Golmohammadi - Seyyedeh Ladan Talebzadeh
No-Entry-Inspired Plasmonic Sensor for Six-Alcohol Discrimination and Refractive Index Sensing in a Compact MIM Waveguide
Hengameh Farokhi - Sedighe Babaei Sedaghat
A Novel Approach for Offline and Online Application-Dependent testing of FPGA interconnects
Ahmad Menbari - Hemn Rahimi - Hadi Jahanirad
Electro-Thermal Analysis of VCSELs with Multi- Mesa Structures Using 3D Self-Consistent Simulations
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
مدلسازی و ارزیابی ساختار DMG-FinFET با گیت دوگانه و هندسه نانومقیاس
بهاره میرزاپور شیراینی - محسن داوودی
طراحی حسگر تراهرتز مبتنی بر ضریب شکست برای تعیین مشخصات مواد
سهیل هادی پور - پژمان رضائی
A Novel CMOS Capacitance Detection Circuit with Zepto-Farad Resolution Dedicated for Life Science Applications
Tayebeh Azadmousavi - Sobhan Sheykhivand Kashtiban - Reza Hadjiaghaie Vafaie - Ebrahim Ghafar-Zadeh
Design and Implementation of novel Microgrid Inverter
Amirhasan Sobhi - Alireza Zabihi - Sina Chartabi - Mina Salim
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 43.9.1
