لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
No-Entry-Inspired Plasmonic Sensor for Six-Alcohol Discrimination and Refractive Index Sensing in a Compact MIM Waveguide
Hengameh Farokhi - Sedighe Babaei Sedaghat
طراحی ضرب کننده تقریبی کم مصرف و سریع برای کاربردهای پردازش تصویر
شیوا محمدعلیپوری - وحید جمشیدی
Comparison between Hardware/Software Co-design of RiscV Vector and Scalar Implementation of Deep Neural Networks
Seyed Kian Mousavikia - Morteza Mousazadeh
A Low-Power Inductor-Less Linear Wideband CMOS Balun-LNA Using Current Reuse And Linearity Techniques
Soroush Hashemi Bani - Mohammad Yavari
جاذب کامل مبتنی بر گرافن با حساسیت بالا برای کاربردهای تشخیص سرطان
علیرضا پیله رودی - جواد جاویدان - حمید حیدرزاده
A differential ring VCO with a new structure for the pre-charger and pre-discharger method
Vahid Khodadadi Viaee - Mahdi Alijani - Adib Abrishamifar
A Low-Power Bandgap Voltage Reference Circuit With Ultra-Low Temperature Coefficient
Elaheh Pakravan - Mortaza Mojarad - Behboud Mashoufi
تلفیق اینترنت اشیا و داده کاوی برای تشخیص بیماری دیابت: رویکردی هوشمند در پایش سلامت دیجیتال
سیده عارفه رضوی - وحید جمشیدی - محبوبه طالبی - ملیکا ناصری
طراحی نوسانگر ولتاژ پایین با کمترین نویزفاز گزارش شده در ناحیه 1/f^3 در فرکانس 3.6 گیگاهرتز
ریحانه عسکرزاده طرقبه - فاطمه اکبر - علی فتوت احمدی
Optimized design of Lower Complexity Reversible Toffoli Gate in QCA Technology
Saeid Seyedi - Hatam Abdoli
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت همایش ها و جشنواره ها - نگارش 44.12.4
