لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Dynamic Power Control in a Hardware Neural Network with Error-Configurable MAC Units
Maedeh Ghaderi - Arvin Delavari - Faraz Ghoreishy - Sattar Mirzakuchaki
طراحی نانو لیزرکریستال فوتونی نقاط کوانتومی با محیط بهره هیبریدی مبنی بر گالیم آرسنیک با افزایش پمپاژ نوری
انیس امیدنیایی - علی فرمانی
Design of 1-1-1 Cascaded Discrete-Time Delta-Sigma Modulator based on Tracking Quantizer
Mohsen Ghaemmaghami - Shahbaz Reyhani
Temperature Sensor Based on a Plasmonic MIM Waveguide with a Grill-Shaped Cavity
Mahsa Ahadi - Mohammad Ghanavati - Hamid Vahed - Mohammad Azim Karami
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
Adaptive Oversampling-based CDR with Phase Correction for Low-Cost FPGAs
Amin Khalilzadegan - Asal Malekara - Amir Fathi - Mir Majid Ghasemi
طراحی و شبیهسازی شمارنده بالا و پایین شمار چهارسطحی با استفاده از تکنولوژی 32nm-CNTFET
جواد جاویدان
Design and Numerical Assessment of a Novel Dielectrophoretic Microfluidic Chip to Separate CTCs
Fatemeh Ghaffari - Hadi Veladi
A Gain Enhancement Method Based on Negative Miller-C for Interstage Amplifiers in Pipeline ADCs
Kaveh Azizi - Arash Esmaili
مدلسازی و ارزیابی ساختار DMG-FinFET با گیت دوگانه و هندسه نانومقیاس
بهاره میرزاپور شیراینی - محسن داوودی
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0
