0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
نویسندگان :
Behnam Jafari Touchaei
1
Majid Shalchian
2
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
کلمات کلیدی :
Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization
چکیده :
In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
ساخت حسگر پیزومقاومتی مبتنی بر گرافن ناشی از لیزر بر روی فیلم پلی ایمیدی
علیرضا اکبرزاده - کریم شلش نژاد - هادی ولادی - ابراهیم صفری
ساختار گرافنی جاذب کامل چند باندی تراهرتزی با قابلیت تنطیم فرکانس و مستقل از قطبش
یوسف رفیق ایرانی - جواد جاویدان - حمید حیدرزاده
Third Harmonic Generation Improvement with BIC based Perovskite Metasurface
Fateme Momeni - Vahid Ahmadi
Study of Nanoscale Material NEMS Resonant Pressure Sensors: Simulation and Comparison
Amir Noroolahi - Abolfazl Hosseini
A Low-Power Differential Ring VCO Using An Active Inductor For Wireless Applications
Mahdi Alijani - Mohammadmahdi Javanmardi - Adib Abrishamifar
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
A Curvature Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference With 6.8 ppm/°C Temperature Coefficient and Low Quiescent Current
Elaheh Pakravan - Mortaza Mojarad - Behboud Mashoufi
Unified Modeling Framework for Dynamic Analysis of a MEMS Resonant Biosensor
Ali Selk Ghafari
Impact of Geometrical and Process Design Parameters on the Performance of Schottky Barrier Reconfigurable Field Effect Transistor
Hamid Reza Heydari - Zahra Ahangari - Hamed Nematian - Kian Ebrahim Kafoori
Design of a High-Efficiency Deep Bias Class-AB Power Amplifier With 70% PAE at P1dB
Fazel Ziraksaz - Alireza Hassanzadeh
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5