کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation

نویسندگان :

Behnam Jafari Touchaei¹ Majid Shalchian²

1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر 2- دانشگاه صنعتی امیرکبیر

کلمات کلیدی :

Energy band diagram،Gallium Nitride HEMT (GaN-HEMT)،high electron mobility transistor (HEMT)،modeling،piezoelectric and spontaneous polarization

چکیده :

In this work, we propose a new approach to derive the GaN-HEMT energy band diagram under full depletion conditions. The model considers the vertical electric field and vertical potential within the GaN-HEMT from gate to bulk. The effect of polarized ions due to piezoelectric and spontaneous polarization is also considered. The spike-shaped electric field within the 2D electron gas predicted by the model follows TCAD simulation results. The model is validated by TCAD and by EPFL HEMT model under the depletion condition.

لیست مقالات

لیست مقالات بایگانی شده

A -73.3 dB-THD ±285 mV DC Offset Rejection Analog Front-End with Novel Chopper Spike Filter for Wireless Wearable ECG Sensors

Mahsa Sadeghi - Mohammad Yavari

Unified Modeling Framework for Dynamic Analysis of a MEMS Resonant Biosensor

Ali Selk Ghafari

ایجاد رسانایی الکتریکی روی پارچه پنبه ای به روش جوهرافشان با سنتز نانو ذرات نقره

آتشه سلیمانی گرگانی - علی گودرزی - گایانه وارطانیان

طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی ‏بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی

افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو

A Common-mode Insensitive Regenerative Comparator with New Dynamic-Bias Technique for Low Supply Voltage Applications

Saba Iesakhani - Hadi Pahlevanzadeh

Analysis of electrostatic interaction between a charge trap and a quantum dot based single electron transistor

Fatemeh Hamedvasighi - Majid Shalchian

Electro-Thermal Analysis of VCSELs with Multi- Mesa Structures Using 3D Self-Consistent Simulations

Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan

Ethanol Sensor Modeling Based on Carbon Nanotubes as Schottky Barrier Transistors

Alireza Abolhasani - Amir Fathi - Majid Ghasemi

Design of thermo-optic phase shifter in silicon nitride waveguide with focus on Heater dimensions

Reza Elyasi - Mehdi Khaje - Abdollah Eslami Majd

Quantum Machine Learning Acceleration with Quantum Control Techniques

Sara Mahmoudi Rashid

بیشتر

ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 42.6.0