0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
ساختار گرافنی جاذب کامل چند باندی تراهرتزی با قابلیت تنطیم فرکانس و مستقل از قطبش
نویسندگان :
یوسف رفیق ایرانی
1
جواد جاویدان
2
حمید حیدرزاده
3
1- دانشگاه محقق اردبیلی
2- دانشگاه محقق اردبیلی
3- دانشگاه محقق اردبیلی
کلمات کلیدی :
متامتریال،چند بانده قابل تنظیم،چند بانده قابل تنظیم،غیر حساس به قطبش،تراهرتز
چکیده :
در این مقاله ساختار ناهمگن گرافنی جاذب کامل چند باندی در محدوده تراهرتز مستقل از قطبش طراحی شده است. ساختار پیشنهادی از سه لایه مس، دی اکسید سیلیکون و ساختار گرافن غیر همگن تشکیل شده است. با تغییر ابعاد زیر لایه ها و شکل هندسی برش های گرافنی، می توان تعداد باندها، کیفیت و میزان جذب را تغییر داد. همچنین با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن امکان تنظیم فرکانس های جذب به مقادیر مورد نیاز قابل انجام است. کاربرد این ساختار در سنسورهای زیستی برای تشخیص پروتئین، ویروس ها و سلول های سرطانی و همچنین فیلتر کردن امواج مخابراتی و تصویر برداری می باشد. با برش هایی که بر روی گرافن به شکل های هندسی انجام شده در فرکانس های THz 4.89،THz 9.14 THz 10.76 مقادیر جذب به ترتیب 99.54% ،99.64%، 98.3% حاصل شده است. از ویژگی مهم این ساختار حساس نبودن آن به قطبش می باشد. شبیه سازی ها در محیط نرم افزار CST انجام گرفته است.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Optimized design of Lower Complexity Reversible Toffoli Gate in QCA Technology
Saeid Seyedi - Hatam Abdoli
A differential ring VCO with a new structure for the pre-charger and pre-discharger method
Vahid Khodadadi Viaee - Mahdi Alijani - Adib Abrishamifar
A Bootstrapped Switch Based Efficient CMOS Full-Wave Active Rectifier for Biomedical Implants
Mahmood Alibakhshi - Farshad Gozalpour - Yarallah Koolivand
Efficiency enhancement of tin-based perovskite solar cell with carbon back-contact using cubic and pyramid metallic nano-particles: numerical investigation
Amir Hossein Mohammadian Fard - Samiye Matloub
A Curvature Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference With 6.8 ppm/°C Temperature Coefficient and Low Quiescent Current
Elaheh Pakravan - Mortaza Mojarad - Behboud Mashoufi
Impact of Geometrical and Process Design Parameters on the Performance of Schottky Barrier Reconfigurable Field Effect Transistor
Hamid Reza Heydari - Zahra Ahangari - Hamed Nematian - Kian Ebrahim Kafoori
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
Behnam Jafari Touchaei - Majid Shalchian
Two-wavelength Quantum Dot Mid-Infrared Photodetectors Using Solution Process Method
Hannaneh Dortaj - Samiye Matloub
A MEMS Resonant Pressure Sensore Based on 2D Graphene Material
Amir Noroolahi - Farshad Babazadeh
Design of All-Passive Harmonic-Rejection N-Path Filter
Vahid Moradino - Esmaeil Najafiaghdam
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5