0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
ساختار گرافنی جاذب کامل چند باندی تراهرتزی با قابلیت تنطیم فرکانس و مستقل از قطبش
نویسندگان :
یوسف رفیق ایرانی
1
جواد جاویدان
2
حمید حیدرزاده
3
1- دانشگاه محقق اردبیلی
2- دانشگاه محقق اردبیلی
3- دانشگاه محقق اردبیلی
کلمات کلیدی :
متامتریال،چند بانده قابل تنظیم،چند بانده قابل تنظیم،غیر حساس به قطبش،تراهرتز
چکیده :
در این مقاله ساختار ناهمگن گرافنی جاذب کامل چند باندی در محدوده تراهرتز مستقل از قطبش طراحی شده است. ساختار پیشنهادی از سه لایه مس، دی اکسید سیلیکون و ساختار گرافن غیر همگن تشکیل شده است. با تغییر ابعاد زیر لایه ها و شکل هندسی برش های گرافنی، می توان تعداد باندها، کیفیت و میزان جذب را تغییر داد. همچنین با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن امکان تنظیم فرکانس های جذب به مقادیر مورد نیاز قابل انجام است. کاربرد این ساختار در سنسورهای زیستی برای تشخیص پروتئین، ویروس ها و سلول های سرطانی و همچنین فیلتر کردن امواج مخابراتی و تصویر برداری می باشد. با برش هایی که بر روی گرافن به شکل های هندسی انجام شده در فرکانس های THz 4.89،THz 9.14 THz 10.76 مقادیر جذب به ترتیب 99.54% ،99.64%، 98.3% حاصل شده است. از ویژگی مهم این ساختار حساس نبودن آن به قطبش می باشد. شبیه سازی ها در محیط نرم افزار CST انجام گرفته است.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
طراحی سیستماتیک موجبر فوتونی مبتنی بر سیلیکون نیترید در محدوده نور مرئی
افشین احمدپور - امیر حبیب زاده شریف - فائزه بهرامی چناقلو
High-level synthesis-based approach for CNN acceleration on FPGA
Adib Hosseiny - Hadi Jahanirad
A New Design for 1.75 to 2.55 GHz GaN Power Amplifier with More Than 40 dBm Output Power and 12 dB Maximum Gain
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei - HojjatAllah Nemati
High Figure of Merit Metasurface Biosensor at Optical Telecommunication Band
Hemin Ebrahimi - Keyhan Hosseini - Mohammad Razaghi
A Low-Power Fully Differential LC Oscillator with Phase Noise Reduction for LTE Applications
Yeganeh Moradzadeh Rezaei - SIROUS TOOFAN - Jafar Sobhi
یک مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر مدولاتور سیگما دلتا برای کاربردهای مهندسی - پزشکی با ENOB = 13. 2 bits ، پهنای باند 10 kHz و توان مصرفی 16.9 µ W
علی صداقت - حسین پاک نیت - نوید یثربی
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
Behnam Jafari Touchaei - Majid Shalchian
Two-wavelength Quantum Dot Mid-Infrared Photodetectors Using Solution Process Method
Hannaneh Dortaj - Samiye Matloub
Role of Doping Concentration of n- and p-Strip Regions on Optoelectronical Characterization in IBC-SHJ Solar Cell
Pegah Paknazar - Maryam Shakiba
An Ultra-Low-Voltage, High-Voltage Gain, Bulk-Driven CMOS Operational Amplifier
Ali Nejati - Mohammad Hossein Maghami
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5