0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی و تحلیل یک انتگرالگیر زمانی مرتبه کسری در فناوری هایبرید پلاسمونی گرافنی
نویسندگان :
افشین احمدپور
1
امیر حبیب زاده شریف
2
فائزه بهرامی چناقلو
3
1- دانشگاه صنعتی سهند
2- دانشگاه صنعتی سهند
3- دانشگاه صنعتی سهند
کلمات کلیدی :
انتگرالگیر مرتبه کسری،پردازش سیگنال فوق سریع،گرافن،موجبر هایبرید پلاسمونی
چکیده :
در این مقاله، طراحی و تحلیل یک انتگرالگیر زمانی مرتبه کسری فوق فشرده با استفاده از میکرورزوناتور حلقوی هایبرید پلاسمونی چندلایه گرافنی برای پردازش سیگنالهای نوری فوق سریع ارائه شده است. مدار انتگرالگیر به دلیل استفاده از فناوری هایبرید پلاسمونی گرافنی، از مساحت کوچکی برخوردار است (7/3 × 4 میکرومترمربع). عملکرد انتگرالگیر زمانی با اعمال یک پالس گوسی فوق کوتاه با عرض پالس 278 فمتوثانیه برای مراتب مختلف انتگرالگیری مورد مطالعه قرار گرفته است. بر اساس نتایج بدست آمده، انتگرالگیر زمانی نوری طراحیشده در مقایسه با کارهای گزارششده قبلی، از تلف عبوری، پهنای باند، دقت و بازده انرژی بهتری برخوردار است.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Evaluation of Run-Time Energy Efficiency using Controlled Approximation in a RISC-V Core
Arvin Delavari - Faraz Ghoreishy - Hadi Shahriar Shahhoseini - Sattar Mirzakuchaki
Numerical analysis of studying the importance of choosing the right image reconstruction algorithms in tomography’s accuracy and processing time
Maryam Ahangar Darband - Esmaeil Najafiaghdam
OptiCore: A Novel Approach for Designing a Low Power Multi-Core Processor
Abolfazl Rajaiyan - Yas Hosseini Tehrani - Seyed Mojtaba Atarodi
طراحی آنتن تشدیدکننده دی الکتریک با استفاده از فرامواد برای سنجش و تشخیص مایعات
مریم بازگیر - اکرم شیخی
A 0.9-8 GHz Highly Linear SAW-Less Direct-Conversion Receiver Front-End for 5G Communication Standard
Erfan Salighe - Mortaza Mojarad
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
Behnam Jafari Touchaei - Majid Shalchian
ZnO-Based Surface Acoustic Wave Droplet Sensor
Farzaneh Soleimanpour - Behdad Barahimi - Sara Darbari - Mohammad kazem Moravvej farshi
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
A New Design for 1.75 to 2.55 GHz GaN Power Amplifier with More Than 40 dBm Output Power and 12 dB Maximum Gain
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei - HojjatAllah Nemati
ساختار گرافنی جاذب کامل چند باندی تراهرتزی با قابلیت تنطیم فرکانس و مستقل از قطبش
یوسف رفیق ایرانی - جواد جاویدان - حمید حیدرزاده
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.1.2