لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
هفتمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
Ethanol Sensor Modeling Based on Carbon Nanotubes as Schottky Barrier Transistors
نویسندگان :
Alireza Abolhasani
1
Amir Fathi
2
Majid Ghasemi
3
1- دانشگاه صنعتی ارومیه
2- دانشگاه ارومیه - دانشکده برق و کامپیوتر
3- دانشگاه ارومیه - دانشکده برق و کامپیوتر
کلمات کلیدی :
Ethanol Sensor،Nanotube،Schottky Transistors
چکیده :
Carbon-based sensors are constructed from carbon-based materials as their prominent components. These sensors have brilliant features such as higher sensitivity, faster response time and higher accuracy features. In addition, based on the simulations of this paper and according to the reported experimental results of previous works, there is a linear relation between ethanol concentration and sensor electromotive force in carbon based sensors. In this paper, a Schottky sensor is presented on the basis of carbon nanotube models. In this sensor, the I-V characteristic follows the applied voltage. This effect of I-V characteristic will be indicated by measurement results, too. Also, the impressive effects of diameter and length variations on the conductance and currents of the carbon nanotube FETs will be studied, too.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Beyond Silicon: A Roadmap for Graphene-Based Field-Effect Transistors in RF Amplifiers, Biosensing, and Integrated Flexible Electronics
Sina Pourhajiagha Golestani - Esmaeil Najafiaghdam - Kiyumars Jalili
Modeling GaN-HEMT Electrostatic Band Diagram under full depletion approximation
Behnam Jafari Touchaei - Majid Shalchian
Design an active inductor independent of process, voltage and temperature
Fatemeh Miri - Mehdi Ehsanian
A 1.8 V to 3.3 V High-Efficiency Integrated Boost Converter for Low-Power Portable Applications
Shayan Anzali - SIROUS Toofan - Jafar Sobhi - Ziaaddin Daie Kouzehkanani
ایجاد رسانایی الکتریکی روی پارچه پنبه ای به روش جوهرافشان با سنتز نانو ذرات نقره
آتشه سلیمانی گرگانی - علی گودرزی - گایانه وارطانیان
A Low-Noise Amplifier with Bandwidth Extension and Noise Cancellation for 5G Receivers
Pardis Javanbakht - Mortaza Mojarad
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
اکبر شعبانی - حسین کرمی طاهری
طراحی نوسانگر ولتاژ پایین با کمترین نویزفاز گزارش شده در ناحیه 1/f^3 در فرکانس 3.6 گیگاهرتز
ریحانه عسکرزاده طرقبه - فاطمه اکبر - علی فتوت احمدی
Quantitative study of Temperature-Dependent BandGap Energy and Its Influence on Threshold Potential Characteristics of MOS Devices
Hanieh Khakvatan - Sarang Kazeminia
Analysis of electrostatic interaction between a charge trap and a quantum dot based single electron transistor
Fatemeh Hamedvasighi - Majid Shalchian
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0
