لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
نویسندگان :
اکبر شعبانی
1
حسین کرمی طاهری
2
1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
2- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
کلمات کلیدی :
فسفرن سیاه،پادنقطه،ولتاژ آستانه،جریان روشن به خاموش
چکیده :
در این مقاله ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور از ساختار الکترونیکی نانو نوارهای فسفرن سیاه به کمک روش تنگ بست استفاده شده است. همچنین برای به دست آوردن مشخصات و پارامترهای افزاره نیز از روش محاسباتی بالای سد در چهارچوب روابط لاندائور بهره گرفته شده است. نتایج نشان میدهد که با ایجاد پادنقطههای متقارن در نوار، تابع انتقال الکترونی در نزدیکی لبه باند هدایت افزایش پیدا کرده که در نتیجه آن ولتاژ آستانه نیز به صورت مطلوب افزایش مییابد. همچنین ایجاد پادنقطه باعث افزایش شکاف باند انرژی شده و به کاهش مطلوب جریان خاموشی کمک میکند. مشاهده شد که با انتخاب مناسب پارامترهای پادنقطه میتوان نسبت جریان روشن به خاموش را تا حدود ۲۵۰۰ مرتبه بهبود داد.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Circuit Analysis and Design of a Low-Noise SiGe:C HBT Amplifier with Enhanced Input Matching
Sedighe Babaei Sedaghat - Mortaza Mojarad - Fateme Zadehpariza
Role of Doping Concentration of n- and p-Strip Regions on Optoelectronical Characterization in IBC-SHJ Solar Cell
Pegah Paknazar - Maryam Shakiba
Design and Implementation of novel Microgrid Inverter
Amirhasan Sobhi - Alireza Zabihi - Sina Chartabi - Mina Salim
A Verilog-A Based Dynamic Model for MEMS Accelerometer Sensors
Kamyab Karimi Sarableh - Farshad Gozalpour - Sepehr Zare Teimoori - Rasoul Fathipour
ایجاد رسانایی الکتریکی روی پارچه پنبه ای به روش جوهرافشان با سنتز نانو ذرات نقره
آتشه سلیمانی گرگانی - علی گودرزی - گایانه وارطانیان
طراحی آنتن پچ تراهرتز قابل تنظیم با استفاده از سوییچهای گرافنی برای کاربردهای گسترده فرکانسی
امیر امینی - موسی عبداله وند یاجلو - مهدی نوشیار
A Linear Wideband CMOS Balun-LNA With Complementary Predistortion Technique
Mohammad Mohammadi - Mohammad Yavari
A 20-watt High Efficiency Power Amplifier with More Than Two-Octave Bandwith and ±1 dB Gain Flatness
Marzieh Chegini - Mahmoud Kamarei
Scattering and Absorption Analysis of RF Waves in Tunable Plasma Antennas Based on NEMS Structures
Ali Asghar Molavi Choobini - Rashid Riahi - Farkhonde Zamaninejad - Sara Sadat Ghaffari-Oskooei
Design of Floating-Point Multiplier Architecture with Adaptive Data Timing Channels
Hoda Ghabeli
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0