کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه

نویسندگان :

اکبر شعبانی¹ حسین کرمی طاهری²

1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان 2- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان

کلمات کلیدی :

فسفرن سیاه،پاد‌نقطه،ولتاژ آستانه،جریان روشن به خاموش

چکیده :

در این مقاله ترانزیستور‌های مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور از ساختار الکترونیکی نانو نوارهای فسفرن سیاه به کمک روش تنگ بست استفاده شده است. همچنین برای به دست آوردن مشخصات و پارامترهای افزاره نیز از روش محاسباتی بالای سد در چهار‌چوب روابط لاندائور بهره گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که با ایجاد پاد‌نقطه‌های متقارن در نوار، تابع انتقال الکترونی در نزدیکی لبه باند هدایت افزایش پیدا کرده که در نتیجه آن ولتاژ آستانه نیز به صورت مطلوب افزایش می‌یابد. همچنین ایجاد پاد‌نقطه باعث افزایش شکاف باند انرژی شده و به کاهش مطلوب جریان خاموشی کمک می‌کند. مشاهده شد که با انتخاب مناسب پارامترهای پاد‌نقطه می‌توان نسبت جریان روشن به خاموش را تا حدود ۲۵۰۰ مرتبه بهبود داد.