0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
نویسندگان :
اکبر شعبانی
1
حسین کرمی طاهری
2
1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
2- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
کلمات کلیدی :
فسفرن سیاه،پادنقطه،ولتاژ آستانه،جریان روشن به خاموش
چکیده :
در این مقاله ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور از ساختار الکترونیکی نانو نوارهای فسفرن سیاه به کمک روش تنگ بست استفاده شده است. همچنین برای به دست آوردن مشخصات و پارامترهای افزاره نیز از روش محاسباتی بالای سد در چهارچوب روابط لاندائور بهره گرفته شده است. نتایج نشان میدهد که با ایجاد پادنقطههای متقارن در نوار، تابع انتقال الکترونی در نزدیکی لبه باند هدایت افزایش پیدا کرده که در نتیجه آن ولتاژ آستانه نیز به صورت مطلوب افزایش مییابد. همچنین ایجاد پادنقطه باعث افزایش شکاف باند انرژی شده و به کاهش مطلوب جریان خاموشی کمک میکند. مشاهده شد که با انتخاب مناسب پارامترهای پادنقطه میتوان نسبت جریان روشن به خاموش را تا حدود ۲۵۰۰ مرتبه بهبود داد.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
An Ultra-Low-Voltage, High-Voltage Gain, Bulk-Driven CMOS Operational Amplifier
Ali Nejati - Mohammad Hossein Maghami
طراحی و شبیهسازی یک فیلتر میان گذر باریک باند قابل تنظیم با استفاده از سلف فعال برای کاربرد در شبکههای بیسیم
محمد امین ملاکی - مهناز افضلی - ابوالفضل بیجاری
Double-OTA External Capless Low-power LDO Regulator with Enhanced PSR and Transient Response
Mohammad Ahmadi - Emad Ebrahimi
Plasmonic CH4 Sensor Using an MIM Waveguide with a Hexagonal Cavity and Silver Square Island
Mohammad Ghanavati - Mohammad Azim Karami
Temperature Sensor Based on a Plasmonic MIM Waveguide with a Grill-Shaped Cavity
Mahsa Ahadi - Mohammad Ghanavati - Hamid Vahed - Mohammad Azim Karami
طراحی و تحلیل تضعیفکننده متغیر و مدولاتور قابل تنظیم پلاسمونی
رضا رحیم پور - امیر حبیب زاده شریف
Design and Simulation of a 2.4 GHz Class E Power Amplifier With High PAE and Linearity Improvement in 0.13μm CMOS Technology
Hamidreza Taghavi gharaghaji - Morteza Mojarad
First Principles Study of Optical and Electrical Properties for Mixed-halide 2D BA2PbBr4-xClx (x=0, 2, and 4) as an Active Layer of Perovskite Light Emitting Diode
ُSamad Shokouhi - Seyedeh Bita Saadatmand - Vahid Ahmadi
A Low-Noise Amplifier with Bandwidth Extension and Noise Cancellation for 5G Receivers
Pardis Javanbakht - Mortaza Mojarad
ساخت حسگر پیزومقاومتی مبتنی بر گرافن ناشی از لیزر بر روی فیلم پلی ایمیدی
علیرضا اکبرزاده - کریم شلش نژاد - هادی ولادی - ابراهیم صفری
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5