لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
پنجمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
بررسی تأثیر اصلاحات ساختاری، بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه
نویسندگان :
اکبر شعبانی
1
حسین کرمی طاهری
2
1- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
2- دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
کلمات کلیدی :
فسفرن سیاه،پادنقطه،ولتاژ آستانه،جریان روشن به خاموش
چکیده :
در این مقاله ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور از ساختار الکترونیکی نانو نوارهای فسفرن سیاه به کمک روش تنگ بست استفاده شده است. همچنین برای به دست آوردن مشخصات و پارامترهای افزاره نیز از روش محاسباتی بالای سد در چهارچوب روابط لاندائور بهره گرفته شده است. نتایج نشان میدهد که با ایجاد پادنقطههای متقارن در نوار، تابع انتقال الکترونی در نزدیکی لبه باند هدایت افزایش پیدا کرده که در نتیجه آن ولتاژ آستانه نیز به صورت مطلوب افزایش مییابد. همچنین ایجاد پادنقطه باعث افزایش شکاف باند انرژی شده و به کاهش مطلوب جریان خاموشی کمک میکند. مشاهده شد که با انتخاب مناسب پارامترهای پادنقطه میتوان نسبت جریان روشن به خاموش را تا حدود ۲۵۰۰ مرتبه بهبود داد.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Third Harmonic Generation Improvement with BIC based Perovskite Metasurface
Fateme Momeni - Vahid Ahmadi
Design of Electrical Stimulation Circuit in 180 nm/1.8 V Standard CMOS Process
Askandar Nikzad - Mohammad Yavari - Amir Kashi
A Linear Transconductor for Gm-C Filter Applied in a Switch-Mode Power Supply for IoT Applications
Sanaz Gerami - Abolfazl Rajaiyan - Yas Hosseini Tehrani - Seyed Mojtaba Atarodi
Design and Implementation of High-Speed Vedic-Based Squarer Circuit
Zahra Ahmari - Behbood Mashoufi - Amir Fathi - Mir Majid Ghasemi - Golsa Taghizadeh Afshari
Frequency Response and Design Based on gm/ID of Amplifier in CNFET Technology
S. Mohammadali Zanjani - Mehdi Dolatshahi - Massoud Dousti - Zahra Alaie - Ata Jahangir Moshayedi - Arash Mehrabi
Optimum Design of GaAs/AlGaAs Surface-Relief VCSELs with Single-Mode Operation at 808 nm
Hassan Hooshdar Rostami - Vahid Ahmadi - Saeed Pahlavan
A Linear Wideband CMOS Balun-LNA With Complementary Predistortion Technique
Mohammad Mohammadi - Mohammad Yavari
Current Source Impedance Effect on Static Performance of Hybrid R-2R DAC
Mohsen Azimikia - Arash Esmaili - Hadiseh Babazadeh
A runtime reconfigurable exact-approximate full-adder design
Keihan Naseri - Hadi Jahanirad
Study of Nanoscale Material NEMS Resonant Pressure Sensors: Simulation and Comparison
Amir Noroolahi - Abolfazl Hosseini
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.9.0