0% Complete
صفحه اصلی
/
ششمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران
طراحی حسگر تراهرتز مبتنی بر ضریب شکست برای تعیین مشخصات مواد
نویسندگان :
سهیل هادی پور
1
پژمان رضائی
2
1- دانشگاه سمنان
2- دانشگاه سمنان
کلمات کلیدی :
جاذب تراهرتز،حسگر زیستی،حساسیت،حسگر ضریب شکست
چکیده :
در این مقاله یک جاذب باند تراهرتز در کاربرد حسگری پیشنهاد شده است. ساختار مورد بحث متشکل از سه لایه می باشد که لایه های بالایی و زیرین آن از طلا و یک لایه میانی از جنس سیلیکون به عنوان لایه ی دی الکتریک در میان آن ها قرار گرفته است. این ساختار یک جاذب کامل با میزان جذب 99.9٪ در THz 0.388 و ضریب کیفیت معادل با 20.056 را نشان می دهد. در این جاذب با تغییرات در ضریب شکست ماده تحت آزمایش، فرکانس رزونانس اصلی تغییر میکند. ضریب شکست نمونه آزمایشی در محدوده 2-1 متغیر است و حساسیت حسگر پیشنهادی THz/RIU 0.01 محاسبه شده است در ادامه برای درک بهتر مکانیسم عملکرد این ساختار، یک مدار معادل نیز برای حسگر پیشنهادی ارائه شده است.
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
Clusters of Cubic Plasmonic Nanoparticles for Improved Efficiency in Bifacial Perovskite Solar Cells
Amir Hossein Mohammadian Fard - ُSamiye Matloub
Design of Floating-Point Multiplier Architecture with Adaptive Data Timing Channels
Hoda Ghabeli
Third Harmonic Generation Improvement with BIC based Perovskite Metasurface
Fateme Momeni - Vahid Ahmadi
Current-Mode Wideband Frontends With Linearity Enhancement for 5G Receivers
Adibeh Rahmani - Mortaza Mojarad - Seyed Sadra Kashef
An Integrated Wearable Bio-Impedance Spectroscopy System for Remote Monitoring Heart Failure in 65nm CMOS Technology
Arman Ghouchani - Mohammad Sharifkhani
Role of Doping Concentration of n- and p-Strip Regions on Optoelectronical Characterization in IBC-SHJ Solar Cell
Pegah Paknazar - Maryam Shakiba
A Nonlinear, Low-Power, VCO-Based ADC for Neural Recording Applications
Reza Shokri - Yarallah Koolivand - Omid Shoaei - Orazio Aiello - Daniele Caviglia
Few-layered phosphorene synthesis by CVD approach as an anode for sodium-ion battery
Pooya Dehghan - Soraya Hoornam - Zeinab Sanaee - Shams Mohajerzadeh
Design and Simulation of a 2.4 GHz Class E Power Amplifier With High PAE and Linearity Improvement in 0.13μm CMOS Technology
Hamidreza Taghavi gharaghaji - Morteza Mojarad
A Curvature Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference With 6.8 ppm/°C Temperature Coefficient and Low Quiescent Current
Elaheh Pakravan - Mortaza Mojarad - Behboud Mashoufi
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 41.5.5