کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

صفحه اصلی / ششمین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک ایران

طراحی حسگر تراهرتز مبتنی بر ضریب شکست برای تعیین مشخصات مواد

نویسندگان :

سهیل هادی پور¹ پژمان رضائی²

1- دانشگاه سمنان 2- دانشگاه سمنان

کلمات کلیدی :

جاذب تراهرتز،حسگر زیستی،حساسیت،حسگر ضریب شکست

چکیده :

در این مقاله یک جاذب باند تراهرتز در کاربرد حسگری پیشنهاد شده است. ساختار مورد بحث متشکل از سه لایه می باشد که لایه های بالایی و زیرین آن از طلا و یک لایه میانی از جنس سیلیکون به عنوان لایه ی دی الکتریک در میان آن ها قرار گرفته است. این ساختار یک جاذب کامل با میزان جذب 99.9٪ در THz 0.388 و ضریب کیفیت معادل با 20.056 را نشان می دهد. در این جاذب با تغییرات در ضریب شکست ماده تحت آزمایش، فرکانس رزونانس اصلی تغییر می‌کند. ضریب شکست نمونه آزمایشی در محدوده 2-1 متغیر است و حساسیت حسگر پیشنهادی THz/RIU 0.01 محاسبه شده است در ادامه برای درک بهتر مکانیسم عملکرد این ساختار، یک مدار معادل نیز برای حسگر پیشنهادی ارائه شده است.